IBM обяви технологичен пробив, който ще спомогне за създаването на 5-нанометрови чипове, само две години след като инженерите на компанията потвърдиха успешното създаване на чип от 7nm.

Проектът се осъществява съвместно между изследователския алианс на IBM и полупроводниковите специалисти на GlobalFoundries и Samsung.

Новият чип е с размерите на нокът, но е в състояние да събере до 30 млрд. транзистора. Иновацията в основата на новия чип е чисто нова архитектура, заобикаляща текущия дизайн на FinFET. Вместо това за създаване на основната транзисторна структура се използват купища силиконови нано-листове.

„Надяваме се, че увеличаването на производителността, предлагано от новия дизайн, ще бъде използвано добре при приложения с интензивно използване на данни, свързани с IoT (интернет на нещата) и когнитивните изчисления“, коментират от компанията, цитирани от Digital Trends.

Чипът също така се характеризира с понижено потребление на енергия. Това би могло да означава, че батериите на смартфони и други устройства могат да издържат два до три пъти по-дълго при едно зареждане.

Изследователското звено на IBM разработва полупроводниковата нанотехнология в продължение на повече от десетилетие. Този проект обаче идва да покаже, че технологията може да предложи практически предимаства пред архитектурата на FinFET.

FinFET чиповете са ограничени от височината на ребрата, които се използват за пренасяне на електрически ток. Вече е доказано, че чиповете на FinFET могат да бъдат мащабирани до 5nm, но намаляването на пространството между ребрата не осигурява същите предимства на производителността, които IBM претендира със своя дизайн на наночастица.

Анализаторите смятат, че може да отнеме години преди технологията им да бъде приложена в потребителски продукти. Повече подробности за постижението си IBM ще сподели по време на Symposia 2017 за VLSI технологии и схеми, която се планира да се проведе в Киото, Япония тази седмица.

Източник: Economic.bg